鐳射掃描缺陷圖譜儀

型號 : LSD4

鐳射掃描缺陷影像儀,是雷射光束誘導電流測試(LBIC)的升級版,利用波長能量大於半導體能隙大的雷射光束,照射在半導體後產生的電子-空穴對,通過快速的掃描樣品表面,獲得影像分佈,可以得到內部電流的變化來瞭解分析各種的缺陷分佈,幫助分析樣品製備品質以及幫助工藝改進。

項目 規格
激發波長 a. 405±1 nm(最高可擴充至4個雷射器)
b. 多波長切換設計
c. 可軟體控制輸出波長與功率
鐳射光點 a. TEM00光斑
b. 光斑可達<40 um
掃描範圍 a. 掃描面積:16 cm x 16 cm
b. 可客製超過30 cm x 30 cm之掃描範圍
掃描解析度 a. 掃描解析度 40 um
b. 可由軟體設定掃描解析度
訊號量測模組 a. 16 bit A/D解析能力
b. S/N可達>1000 以上
c. 超低雜訊放大器模組
量測時間 a. <1 mins (For 20 mm x 20 mm with 30 um resolution)
b. <10 mins (For 300 mm x 300 mm with 30 um resolution)
尺寸 60 cm x 60 cm x 100 cm
測量分析軟體 a. 激發波長切換
b. 雷射功率調整
c. LBIC 3D 圖示
d. 2D剖面分析(電極深寬度比)
e. 光電流回應分佈分析(搭配長波長雷射器)
f. 資料保存與輸出功能
電腦系統 a. x86相容計算器包含螢幕鍵盤與滑鼠
b. 微軟作業系統
選購項目1:白光脈衝光纖雷射器 a. 波長範圍:450~2400 nm
b. 可見光(450-850 nm)輸出功率:>25 mW 
c. 全波段輸出功率:>110 mW
d. 脈衝時寬:<2 us
e. 採用單模光纖輸出
f. 光斑大小:1 mm @ 530 nm;2 mm @ 1100 nm
選購項目2:連續光雷射 a. 可添加 375 nm/ 488 nm/ 532 nm/ 635 nm/ 650 nm/ 785 nm
b. 最小功率:100 mW
c. TEM00輸出
d. 功率輸出穩定度:<2 %
選購項目3:外加偏壓功能 a. 可施加偏壓(0~5 V)(可擴充更大電壓範圍)
b. 全軟體控制

● 可掃描光電流再樣品表面的分佈圖像

● 可掃描各光電壓在樣品表面的分佈圖像

● 可掃描開路電壓與短路電流分佈

● 可分析表面髒汙。

● 可分析短路區域分佈

● 可辨識分析隱裂區域。

● 可分析少數載子擴散長度分佈 (選配)

● PV Response Mapping (選配擴充白光激光器)






一、晶矽太陽能電池應用

▲圖一、 2 cm x 2 cm晶矽電池掃描圖譜

▲圖二、6-inch 單晶太陽能電池 光電流響應分佈圖

▲圖三、6-inch 多晶太陽能電池 光電流響應分佈圖


二、OPV有機太陽能電池與PVSK鈣鈦礦太陽能電池應用
▲圖四、OPV有機太陽能電池 光響應電流分佈圖


三、元件均勻度分析
▲圖五、Non-uniformity analysis不均勻度分析 (解析度為50 um)

▲圖六、 Busbar/Grid深寬比檢測(剖面分析)
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